SKハイニックス 第3世代10ナノDRAMを来年量産へ

SKハイニックス 第3世代10ナノDRAMを来年量産へ

【ソウル聯合ニュース】韓国の半導体大手SKハイニックスは21日、第3世代10ナノクラス(1ナノは10億分の1メートル)16ギガビット(Gb)DDR4型DRAM(半導体メモリー)の量産準備を今年中に完了し、来年から本格的に量産に入る予定だと明らかにした。

 

 サムスン電子が今年初めに第3世代10ナノクラス8ギガビットDDR4型DRAMを開発したのに続くもので、グローバル半導体市場の景気回復が予想される来年に備えた布石とみられる。

 DDRは標準型DRAMと比較したデータ処理速度の速さによって2型、3型などに分けられ、今回開発されたDRAMはDDR4型に第3世代10ナノクラスの微細化を適用した。単一チップとして業界最大容量を実現し、ウエハー1枚から生産されるメモリーの総量も最大だとという。

 これにより、製品の生産性は第2世代に比べ約27%向上。第2世代8ギガビット製品で構成された同容量のモジュールに比べて電力消費を40%削減できるようになった。

 一方、サムスン電子は9月から第3世代10ナノクラスDRAMの量産に入ったことが確認されている。

 業界関係者は「サムスン電子とSKハイニックスは来年の半導体景気回復期に備えている」としながら、「シェアが拡大している微細化市場での接戦が予想される」と見通した。


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