三菱電機が炭化ケイ素（ＳｉＣ）のパワー半導体の開発・生産に力を入れている。８インチという大型化したＳｉＣウエハーに対応する新工場棟を熊本県菊池市に建設することを決定。このほど米国企業と８インチのＳｉＣ基板を共同開発することを表明した。脱炭素の流れを受けて高性能のパワー半導体の需要は高まっており、需要を確実に取り込む。

「ＳｉＣパワー半導体は電気自動車（ＥＶ）向け需要の広がりに伴って急速な拡大を見込むとともに、さまざまな応用分野で市場の広がりが見込まれる」。三菱電機の漆間啓社長は、ＳｉＣパワー半導体の需要の増加についてこう期待する。

３月にはパワー半導体に関連した設備投資で２１―２５年度の５年間で従来計画より１３００億円積み増し、２６００億円とすることを決めた。このうち１０００億円は菊池市の新工場棟などに充てる。　２６日には新工場棟で生産するＳｉＣパワー半導体に使う８インチのＳｉＣ基板を共同開発するため、レーザーや材料関連製品などを手がける米コヒレント（ペンシルベニア州）と基本合意書を締結した。

コヒレントはＳｉＣ材料を長年開発しており、１５年には世界初の８インチの導電性基板を実証し、１９年には８インチＳｉＣ基板の提供を始めた。三菱電機とは以前から６インチのＳｉＣ基板を供給するパートナー関係にある。

両社は新工場棟での生産に適した高品質な８インチＳｉＣ基板の共同開発を進める。その後、高品質で信頼性の高いパワー半導体の安定供給を目指していく。

ＳｉＣ製のパワー半導体は従来のシリコン（Ｓｉ）製より電力損失が少なく、より高い電圧や電流、動作温度に耐えられる。ＥＶだけでなく広く産業用に用途が広がる。


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